Taconic TSM-DS3高频板材参数
Taconic TSM-DS3 是一种热稳定，业界领先的低损耗（10GHZ时Df = 0.0011），可以制造出具有最佳玻璃纤维增强环氧树脂的可预测性和一致性。Taconic TSM-DS3 是一种陶瓷填充增强材料，具有非常低的玻璃纤维含量（约5％），可与制造大型复杂多层膜的环氧树脂相媲美。
Taconic TSM-DS3 是为高功率应用（导热系数= 0.65 W / M * K）而开发的，其中介电材料必须在PWB设计中将热量从其他热源传导出去。Taconic TSM-DS3的开发也具有极低的热膨胀系数，可满足苛刻的热循环要求。
Taconic TSM-DS3内核与Taconic fastRise™27（Df = 0.0014,10 GHz）预浸料相结合，是业界领先的解决方案，可在环氧类420˚F制造温度下实现最低的介电损耗。Taconic TSM-DS3 / fastRise™27的低插入损耗只能通过熔接（纯Teflon®层压板从550˚F熔化到650˚F）来实现。 熔合粘合是昂贵的，它会导致材料过度移动并且会对镀通孔施加压力。 对于复杂的多层膜，低产量的价格推高了最终的材料成本。 fastRise™27能够在低至420˚F的温度下对TSM-DS3进行顺序层压，具有一致性和可预测性，可降低成本。
对于微波应用，低x，y和z CTE值确保滤波器和耦合器中的迹线之间的临界间隔具有非常低的温度移动。Taconic TSM-DS3可与非常薄的铜箔一起使用，在耦合线之间产生平滑的铜边缘。
多层上的配准对于产量和铜重量的变化是至关重要的，并且面板上的铜蚀刻可导致非线性移动。 大面板上的非线性运动导致钻孔不能对准垫和可能的开路。
1.Taconic TSM-DS3与Ticer®和OhmegaPly®电阻箔兼容。
2.Taconic TSM-DS3介电常数与温度的偏差为+/- 0.2％。
3.在典型的应用温度范围内，损耗因数在0.0007 – 0.0011之间变化。
4.TSM-DS3与合成橡胶碳氢化合物层压板的插入损耗比较。使用西南连接器显示如下所示的测试实验。
5.TSM-DS3参数如图：
6.优点和应用：
•业界最佳Df（Df = 0.0011 @ 10 GHz）
•高导热率（0.65 W / M * K）
•玻璃纤维含量低（约5％）
•尺寸稳定性可与环氧树脂相媲美
•启用大幅面高层计数PWB
•以一致性和可预测性构建复杂的PWB
•温度稳定Dk +/- 0.25％（-30至120°C）
•与电阻箔兼容
•耦合器
•相控阵天线
•雷达流形
•mmWave天线/汽车
•石油钻探
•半导体/ ATE测试
